![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Контроль працездатності напівпровідникових приладів
Перевірку працездатноті напівпровідникових діодів проводять без випаювання із
електронного пристрою при допомозі стандартних омметрів, мультиметрів в режи-
мі цифрового омметра та спеціалізованих вимірювачів діодів, рідше —найпростіши-
ми випробувачами із світлодіодними індикаторами.
Для перевірки працездатності діодів в електронних пристроях їх вимикають від дже-
рел живлення, знімають залишковий електричний заряд з конденсаторів ємністю> 0, 5
мікрофаради, перевіряють електричний “0” омметра шляхом замикання вимірюва-
льних щупів між собою і діючи ручкою змінного резистора”Установка “0”, а потім
вмикають щупи паралельно діоду “+”до р-області, а “--”до n-до області і вимі-
рюєм прямий опір діоду який складає одиниці Ом для потужних вентилів і одиниці
десятків Ом. Далі змінюємо полярність вмикання діоду на протилежну і вимірюємо
зворотній опір діоду, який може бути від одиниць сотен Ом до одиниць мегом -діод працездатний. При короткому замиканні р-n-переходу опори для прямого і зворот-
нього вмикання діоду наблиєжаються до 0, при обриві — опір наближається до ∞ -
діод непрацездатний і його необхідно замінити новим.
Працездатнсть транзисторів найраціональніше перевіряють вимірювачами парамет-
рів, наприклад, типу Л2-54 або подібним, але в умовах конкретного підприємства не
завжди є така можливість в кращому випадку —мультиметр і добре якщо він циф-
ровий та має великий вхідний опір—це виключатиме шунтування р-n-переходів.
Розглянемо методику перевірки працездатності біполярного малопотужного тран-
зистора р-n-р типу при допомозі мультиметра, налаштованого в режим омметра.
Приєднаємо до бази “+”внутрішньої батареї омметра, переходи транзистора бу-
дуть закриті і омметр покаже великий опір між базою і колектором та між базою
і емітером.
Змінемо полярність джерела живлення омметра(--Еб), омметр покаже малий опір
між базою і колектором, базою і емітером.
Для транзисторів n-p-n типу полярності живлення омметра змінюються на проти-
лежні.
Транзистори типів МДН і МОН, найчастіше входять до складу ІМС перевіряють
при допомозі програмних спеціалізованих пристроїв.
Працездатність тиристорів перевіряють при допомозі спеціальних стендів здатних
вимірювати амплітудні струмів і напруг, а також часових тривалостей запускаючих
імпульсів в реальних масштабах їх значень.
Сьогодні для налаштування електронних систем і комлексів використовують стен-
ди перевірки тиристорів Крона 902-01-- здатних контролювати всі параметри тиристорів малої і великої потужності.
|