![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Теоретическое введение. В вырожденном p-n-переходе.
Работа 3.10 Туннельный эффект В вырожденном p-n-переходе. Цель работы: Изучение элементов теории туннельного эффекта; исследование проявлений туннельного эффекта в туннельном диоде.
Теоретическое введение 1. Пусть в некоторой области пространства имеется потенциальный барьер конечной высоты В действительности существуют отличные от нуля вероятности отражения частицы с энергией 2. Туннельный эффект может быть количественно исследован путем решения основного уравнения квантовой механики – уравнения Шредингера – с использованием свойств непрерывности волновой функции и ее производных в местах скачка потенциальной функции. Общее решение стационарного уравнения Шредингера в одномерной, как на рис.1, а, задаче
где
а волновое число
где Факт «отражения» учитывается вторыми слагаемыми в выражениях (2). Эти члены можно интерпретировать как плоские волны, движущиеся в отрицательном направлении оси получим следующие волновые функции в областях 1, 2 и 3 (с точностью до постоянного множителя
где Для дальнейшего анализа можно упростить выражение (3), приняв во внимание, что вероятность прохождения частиц сквозь потенциальный барьер невелика. Положив в (3)
получим Анализ выражений (4) показывает, что частица с энергией
Из выражения (5) видно, что вероятность туннельного прохождения частицей потенциального барьера существенно зависит от энергии частицы и ширины потенциального барьера. Качественные представления о виде функций (5) можно получить из рис.1, б. Вероятность туннелирования частиц принято характеризовать коэффициентом прохождения (коэффициентом прозрачности) потенциального барьера, который определяется отношением квадратов модулей волновой функции ψ 3 и первого слагаемого из ψ 1, описывающего падающую на барьер волну. Коэффициент прозрачности барьера описывается выражением
3. Туннельный эффект составляет физическую основу действия обширного класса полупроводниковых приборов – туннельных диодов (ТД). Принцип работы ТД можно пояснить с использованием представлений о зонной энергетической структуре твердого тела. В процессе образования твердого тела электронные энергетические уровни отдельных атомов из-за взаимодействия электронов смещаются и образуют энергетические полосы (разрешенные зоны), чередующиеся с зонами энергий, значений которых электроны принимать не могут (запрещенными зонами). Энергетическая ширина как разрешенной, так и запрещенной зоны имеет порядок ~10-19Дж. Энергетический зазор между отдельными уровнями разрешенной зоны около 10-41Дж, поэтому обычно считают, что энергетический спектр электронов внутри разрешенной зоны практически непрерывен. Наиболее сильно расщепляются энергетические уровни Многие электрофизические свойства твердых тел связаны с электронами в частично заполненных зонах, так как в пределах этих зон электроны могут изменять свою энергию под действием внешних факторов, и способны, в частности, участвовать в процессе электропроводности. Вероятность заселения электронами энергетических уровней в зонах определяется статистикой Ферми-Дирака, описывающей энергетическое распределение частиц, подчиняющихся принципу Паули. Вероятность того, что состояние с энергией Е при температуре Т занято электроном, определяется функцией Ферми Величину
где
Общая концентрация электронов в зоне пропорциональна заштрихованной площади на рис.2, б. Аналогичные результаты справедливы и для материала с дырочной проводимостью, с тем отличием, что энергия отсчитывается от значения 4. При контакте материалов с различным типом электропроводности образуется
Если напряжение на диоде равно нулю, ток через диод также равен нулю, так как переход электронов на заполненные уровни невозможен, а вероятность переходов слева и справа для электронов с энергией Ei > EF. При приложении к диоду прямого напряжения (рис.3, б) энергетические уровни в Зонная диаграмма туннельного диода при обратном смещении показана на рис.3, в.
|