Экспериментальная установка.

В работе исследуют вольт-амперную характеристику германиевого туннельного диода (например, типа ГИ 305 или родственных ему), теоретически и экспериментально определяют положение экстремальных точек характеристики. Проводят оценку энергии Ферми и энергии, соответствующей максимумам функции плотности распределения носителей в зонах материала туннельного диода.

Снятие вольт-амперной характеристики ТД отличается рядом особенностей, обусловленных отрицательным динамическим сопротивлением диода на падающем участке характеристики от до . Если внутреннее сопротивление источника смещения больше, чем отрицательное динамическое сопротивление ТД, вместо статической вольт-амперной характеристики наблюдается кривая гистерезисного типа (точки 1-4 и штриховые прямые на рис.5). Схема установки для снятия вольт-амперных характеристик представлена на рис.6. Включение ТД через эмиттерный повторитель позволяет уменьшить эффективное внутреннее сопротивление источника смещения. Изменением сопротивления резистора R меняют напряжение на базе транзистора П37, при этом меняется ток ТД, который контролируется миллиамперметром РА в коллекторной цепи транзистора КТ 605. Напряжение на ТД измеряют вольтметром PV.