Главная страница Случайная страница
КАТЕГОРИИ:
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника
В области больших времен
|
|
6.3. Творческое задание. Анализ электронной схемы дискретного действия.
Творческое задание направлено на закрепление теоретического материала и приобретение практических навыков по тематическому разделу “Методы анализа дискретных электронных схем”. Варианты творческого индивидуального задания приведены в приложении Б.
Творческое задание предполагает решение одной из поставленных задач:
– Рассчитать переходные и установившиеся процессы в заданной схеме методом припасовывания.
– Рассчитать переходные и установившиеся процессы в заданной схеме методом разностных уравнений.
– Используя метод осреднения пространства состояния, построить логарифмические амплитудно-частотные и фазо-частотные характеристики заданной электронной схемы для малых отклонений от стационарного режима по следующим схемным функциям: передаточной функции по возмущению управляющего воздействия, передаточной функции по возмущению напряжения питания, выходному сопротивлению.
КОЛЛОКВИУМ
Коллоквиум направлен на оценку степени усвоения студентами теоретического материала лекционного курса, проводится в письменной форме в течение двух академических часов и предполагает ответы на два вопроса билета.
Вопросы коллоквиума
1. Классификация параметров электронных схем.
2. Постановка и виды задач синтеза, расчета, анализа и оптимизации электронных схем.
3. Понятие и виды моделирования; понятие математической модели; основные требования к математическим моделям; основные этапы математического моделирования.
4. Классификация математических моделей. Один из классификационных признаков проиллюстрировать примерами.
5. Классификация электронных схем по математическому описанию.
6. Назначение и правила формирования схем замещения электронных цепей непрерывного действия по постоянному току.
7. Назначение и правила формирования схем замещения электронных цепей непрерывного действия по переменному току.
8. Правила формирования и применения схем замещения электронных цепей дискретного действия.
9. Основные понятия теории графов: граф, виды графов; инцидентность и смежность; степень и взаимная степень вершин; маршрут, цепь, простая цепь, цикл, простой цикл, путь, простой путь, контур, простой контур, сечение; часть графа, подграф, суграф; дерево, остов, дополнение дерева, теорема Трента.
10. Матрица инцидентностей (структурная матрица). Обобщенное матричное уравнение первого закона Кирхгофа.
11. Матрица независимых сечений. Обобщенное матричное уравнение первого закона Кирхгофа.
12. Матрица независимых контуров. Обобщенное матричное уравнение второго закона Кирхгофа.
13. Связь топологических матриц.
14. Формирование топологических уравнений в полном координатном базисе.
15. Формирование топологических уравнений в сокращенном гибридном координатном базисе
16. Формирование топологических уравнений в расширенном координатном базисе
17. Формирование топологических уравнений в узловом базисе. Каноническая система сечений.
18. Формирование топологических уравнений в контурном базисе. Каноническая система контуров.
19. Основные виды и математическое описание идеальных схемных компонентов.
20. Классификация моделей активных многополюсных компонентов.
21. Компонентные уравнения.
22. Полная система уравнений электронной схемы.
23. Координатные уравнения для ветвей (КВ-уравнения).
24. Координатные уравнения для координат (КК-уравнения).
25. Уравнения ветвей для координат (ВК-уравнения).
26. Координатные уравнения для координат в узловом базисе. Правила и порядок формирования матриц проводимостей электронных схем методом эквивалентных схем в матричной форме.
27. Координатные уравнения для координат в контурном базисе. Правила и порядок формирования матриц сопротивлений электронных схем методом эквивалентных схем в матричной форме.
28. Правила и порядок формирования матриц проводимостей электронных схем обобщенным матричным методом.
29. Правила и порядок формирования матриц сопротивлений электронных схем обобщенным матричным методом.
30. Понятие и виды схемных функций.
31. Формы представления схемных функций.
32. Частотные и временные характеристики электронных схем.
33. Связь схемных функций с эквивалентными параметрами схемы как четырехполюсника.
34. Определение эквивалентных параметров четырехполюсника по матрице эквивалентных параметров схемы.
35. Правила образования преобразующих векторов матрицы эквивалентных параметров при определении схемных функций матричными методами.
36. Виды и правила определения алгебраических дополнений матрицы эквивалентных параметров электронной схемы.
37. Понятие и виды сигнальных графов электронных схем, способы формирования сигнальных графов.
38. Сигнальные графы Мэзона.
39. Правила и порядок формирования СГ Мэзона косвенным способом на основе причинно-следственного принципа формирования системы уравнений.
40. Правила и порядок формирования сигнального U-графа Мэзона прямым способом.
41. Определение передач СГ Мэзона методом упрощений. Эквивалентные преобразования СГ Мэзона.
42. Определение передач СГ Мэзона с использованием топологических формул передачи.
43. Определитель СГ Мэзона и его свойства. Разложение определителя СГ Мэзона по вершине, по дуге.
44. Обобщенный сигнальный граф.
45. Правила и порядок формирования обобщенного сигнального U-графа прямым способом.
46. Определение передач ОСГ с использованием топологических формул передачи.
47. Общая характеристика метода переменных состояния.
48. Формирование математических моделей в базисе переменных состояния на основе ВК-уравнений.
49. Расчет частотных характеристик методом переменных состояния
50. Расчет переходных характеристик методом переменных состояния.