![]() Главная страница Случайная страница КАТЕГОРИИ: АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатикаИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторикаСоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансыХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника |
Определение схемных функций обобщенным матричным методом.
Поскольку схема замещения рис. 6.3 содержит неустранимое пересечение ветвей, а ветвь нагрузки является внутренней ветвью схемы, математическую модель избирательного усилителя целесообразно формировать в узловом координатном базисе. Схема замещения усилителя по переменному току, предназначенная для математического описания в узловом базисе, приведена на рис. 6.28. В схеме замещения все двухполюсные компоненты представлены как y-компоненты: источник входного сигнала - ветвью, содержащей параллельно включенные идеальный источник переменного тока Рис. 6.28. Операторная схема замещения избирательного усилителя, содержащая y-компоненты
Схема замещения рис. 6.28 содержит В соответствии с обобщенным матричным методом укороченная матрица проводимостей формируется путем суммирования укороченной матрицы проводимостей пассивной части схемы
Укороченная матрица проводимостей пассивной части схемы представляет собой квадратную матрицу
Обобщенная матрица проводимостей многополюсных компонентов представляет собой квадратную матрицу
где М – число многополюсных компонентов; Обобщенные матрицы проводимостей отдельных многополюсных компонентов являются квадратными матрицами
где В качестве неопределенных матриц проводимостей биполярных транзисторов VT1 и VT3 выберем матрицы, элементы которых выражены через y-параметры транзистора, включенного с общим коллектором.
Связь y-параметров транзистора, включенного с общим коллектором, с элементами низкочастотной Т-образной физической эквивалентной схемы выражается следующими соотношениями:
Транзистор VT2 представим неопределенной матрицей проводимостей, элементы которой выражены через y-параметры транзистора, включенного с общим эмиттером:
Связь y-параметров транзистора, включенного с общим эмиттером, с элементами низкочастотной Т-образной физической эквивалентной схемы выражается следующими соотношениями:
Матрицы инциденций полюсов транзисторов совокупности независимых сечений имеют вид:
б э к
б к э
б э к
В соответствии с выражениями (6.54), (6.55) обобщенная матрица проводимостей многополюсных компонентов схемы определяется выражением
а укороченная матрица проводимостей избирательного усилителя определяется выражением
Расчет АЧХ и ФЧХ избирательного RC-усилителя с двойным Т-образным мостом в цепи обратной связи на основе узловых уравнений, сформированных обобщенным матричным методом
|